“삼성보다 빨라”…SK하이닉스, 오는 3분기 6세대 DDR5램 양산

[더퍼블릭=최태우 기자] SK하이닉스가 올해 3분기에 10나노(nm·10억분의 1m)급 6세대(1c) D램을 양산한다. 로드맵에 차질이 없을 경우, 올해 말 양산을 계획하고 있는 삼성전자보다 빠르다.

8일 반도체 업계에 따르면, SK하이닉스는 오는 3분기 내로 10나노급 6세대 D램을 고객사 인증하고 양산에 돌입한다는 로드맵을 세웠다.

현재 주력 D램 제품은 DDR5 16Gb(기가비트)로 인텔의 서버용 플랫폼과 호환성을 공식 인증할 것으로 보인다. 통상적으로 고객사 인증을 마치면 2개월 이내 양산이 본격적으로 시작된다.

SK하이닉스의 D램이 인텔 CPU(중앙처리장치)에 적용할 수 있다는 검증을 끝마치면, 데이터센터를 운영하는 빅테크 기업들의 수요가 몰릴 수 있다. 인텔은 AMD와 함께 글로벌 서버용 CPU 시장을 양분하고 있는데, 전체 시장의 70~80%를 점유하고 있다.

이에 따라 인텔의 서버용 CPU를 주로 사용하는 아마존과 마이크로소프트(MS) 등 주요 빅테크들의 주문이 시작될 것이란 전망이다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 1월 10나노급 4세대(1a) 서버용 D램으로 세계 최초 인텔 인증을 획득한 데 이어, 같은 해 5월 10나노급 5세대(1b) D램에서도 세계 최초 인텔 데이터센터 호환성 검증에 들어갔다.

오는 3분기에 6세대 DDR5 램인 1c까지 인증에 성공할 경우 다시 한 번 세계 최초 인텔 데이터센터 인증을 받은 기업이 된다.

경쟁사인 삼성전자는 올해 12월 고객사 인증과 양산을 계획하고 있는 등 SK하이닉스보다 다소 늦어지고 있는 것으로 파악됐다.

삼성전자는 지난달 말 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘(MemCon) 2024’에서 차세대 D램 개발 로드맵을 공개했다. 여기서 연 내 6세대 10나노급 D램을 양산할 것이라고 밝혔다,

한편, SK하이닉스는 D램 외에도 고대역폭메모리(HBM) 시장에서도 선두 자리를 사수하고 있다. 최근 세계 최초로 HBM3E를 양산해 엔비디아 등 주요 고객사에 납품 중이다.

더퍼블릭 / 최태우 기자 therapy4869@thepublic.kr