'전영현 美 출장' 소식에… 삼성전자, 엔비디아 HBM 파운드리 수주 기대감↑

[더퍼블릭=양원모 기자] 전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장의 미국 출장 소식이 전해지면서 삼성전자의 엔비디아 고대역폭 메모리(HBM) 및 파운드리 수주 성공에 대한 기대감이 고조되고 있다.

2일 업계에 따르면 전 부회장은 지난주 미국 실리콘밸리를 찾아 엔비디아 본사에서 HBM3E 12단 제품 공급과 2나노미터(nm) 파운드리 공정 협력 등 핵심 현안을 집중 논의한 것으로 알려졌다. 양측은 삼성의 HBM3E 12단 품질 인증과 내년 이후 공급 일정, 차세대 HBM4 협력 방안 등 구체적인 사항들을 테이블에 올린 것으로 전해졌다.

삼성전자 메모리사업부의 최대 과제는 HBM 최대 수요처인 엔비디아의 품질 인증을 통과하는 것이다. 삼성은 올해 2분기 설계를 변경한 HBM3E 제품으로 엔비디아 품질 인증을 다시 추진해왔다. 최근 AMD의 차세대 인공지능(AI) 가속기 'MI350X' 시리즈에 HBM3E 12단 제품 공급을 확정지으며 품질 우려를 상당 부분 해소했다는 평가다.

삼성전자 내부에선 수치적으로 품질이 밀리지 않고, AMD 등 납품 사례가 생긴 만큼 긍정적 결과를 기대하고 있는 것으로 알려졌다. 최근 AMD 납품으로 자신감을 얻은 것은 물론 엔비디아 퀄테스트도 시점 문제일 뿐 성능 자체는 경쟁사와 차이가 없다고 판단 중이라는 설명이다. 

업계는 전 부회장이 이번 출장에서 개선된 HBM3E 12단 제품의 성능을 강조하고, 내년 양산될 엔비디아 '블랙웰 울트라' GPU 공급을 타진했을 것으로 보고 있다. 엔비디아는 현재 SK하이닉스와 마이크론에서 블랙웰 울트라 초도 물량을 확보했지만, 2026년 이후 장기 공급 계약은 삼성전자 품질 테스트 결과를 기다리고 있는 상태다.

엔비디아 입장에서도 삼성전자 HBM 품질이 만족스럽다면 공급받지 않을 이유가 없다는 평가가 지배적이다. 삼성전자가 제3 공급사로 진입할 경우 HBM 가격 협상에서 유리한 고지를 점할 수 있다는 점도 긍정적 요인이다.

차세대 HBM4 선점 경쟁도 중요한 논의 주제였을 것으로 보인다. SK하이닉스와 마이크론이 5세대(1b) D램 기반의 HBM4 샘플을 각각 올해 3월과 6월에 고객사에 출하한 가운데, 삼성전자는 성능이 더 앞선 6세대(1c) D램 기반 제품으로 반전을 꾀하고 있다.

파운드리 부문에서도 의미 있는 성과가 기대된다. 삼성전자는 올해 말 양산을 목표로 하는 게이트올어라운드(GAA) 2나노 공정에서 엔비디아 GPU 수주를 적극적으로 추진하고 있다. GAA는 삼성이 세계 최초로 개발한 기술로, 기존 핀펫(FinFET) 구조보다 전력 효율과 성능이 뛰어나다.

삼성은 2022년부터 3나노 GAA 공정을 양산했으나 낮은 수율에 따라 고객 확보에 어려움을 겪었다. 그러나 최근 수율을 끌어올리며 2나노 공정 경쟁력을 확보했다는 평가다. AI 시장 확대로 폭증하는 엔비디아 GPU 물량을 확보하면 파운드리 실적 개선에 결정적 계기가 될 수 있다.

삼성전자는 이미 엔비디아와 파운드리 협력 관계를 맺고 있다. 닌텐도의 신형 게임기 '스위치2'에 탑재된 엔비디아의 '테그라 T239' 칩을 8나노 공정으로 생산 중이다. 이전 모델인 스위치1에서는 대만 TSMC가 생산했던 칩이다. 스위치2가 출시 나흘 만에 350만대 판매를 기록하며 흥행 중이어서 삼성 파운드리의 실적 개선에 긍정적 영향을 줄 전망이다.

전 부회장은 지난해 말 취임 후 삼성전자 메모리 경쟁력을 끌어올리는 데 주력해 왔다. 특히 베이스다이와 코어다이를 개선한 4세대 10나노급(1a) 기반 HBM3E의 품질 향상에 집중했다. 전 부회장은 지난 3월 삼성전자 주총에서 "HBM3E 12단이 빠르면 올해 2분기, 늦어도 하반기에는 시장에서 주도적인 역할을 할 수 있을 것"이라며 자신감을 드러낸 바 있다.

더퍼블릭 / 양원모 기자 ilchimwang@naver.com