[더퍼블릭 = 최태우 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 초고속 D램인 ‘HBM2E’를 본격 양산에 돌입했다.
2일 SK하이닉스에 따르면 지난해 8월 개발을 완료했고, D램 중 가장 빠른 속도인 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터를 처리하는 ‘HBM2E’ 양산을 시작했다.
HBM2E는 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀HD급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전송할 수 있는 수준이다.
또 HBM2E는 일반 종이두께(100μm) 절반 수준으로 깎은 D램에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어, 상층과 하층의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 TSV(Through Silicon Via) 기술을 적용했으며 임시저장장치인 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램을 적층하는 방식으로 만들어 졌다.
일반적으로 메모리는 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결한다. 이전 규격인 HBM2보다 용량이 2배로 늘어나, 플래시볼트는 1개의 버퍼 칩 위에 16기가비트(Gv) D램 칩 8개를 쌓은 방식으로 구현한다.
HBM2E의 경우 칩 자체를 그래픽처리장치(GPU) 등 로직반도체 등에 마이크로미터(μm) 간격 수준으로 장착한다. 칩사이 거리를 줄여, 데이터 처리 속도를 높인 것이다.
주요 사용처는 인공지능(AI), 슈퍼컴퓨터, 고성능 서버 등 프리미엄 분야다.
SK하이닉스 GSM담당 오종훈 부사장은 “SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발해 기술 혁신에 앞장섰다”며 “HBM2E 본격 양산에 들어가면서 4차 산업 혁명을 선도할 것”이라고 말했다.
그동안 주요 메모리 제조사는 HBM2E의 수율 및 성능을 향상하며 관련 사업을 준비해왔다. HBM2E를 양산할 수 있는 업체는 세계에서 SK하이닉스와 삼성전자뿐이다.
삼성전자는 지난 2월 HBM2E D램 ‘플래시볼트’를 출시한 바 있다. 플래시볼트는 1개의 버퍼 칩 위에 16기가비트(Gb) D램 칩 8개를 쌓은 방식으로 구현됐다.
10나노미터(nm) 공정 기반 16Gb D램에 5600개 이상 미세구멍을 뚫어, 4만개 이상 실리콘 관통전극(TSV) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결했다. 이는 초당 3.2기가비트(Gb)를 처리할 수 있어, 풀HD급 영화 82편을 1초에 전달할 수 있는 수준이다.
반도체 업계 관계자는 “삼성전자와 SK하이닉스는 HBM2E를 통해 반도체 메모리 시장을 선도하게 됐다”며 “4차 산업에 있어 외국 경쟁사와 격차가 더욱 벌어질 것”이라고 말했다.
[사진제공=연합뉴스]
더퍼블릭 / 최태우 기자 therapy4869@daum.net
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