[더퍼블릭 = 신한나 기자] 삼성전자는 ‘Adding One More Dimension’을 주제로 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’을 온라인으로 개최했다고 6일 밝혔다.
이날 포럼을 통해 삼성전자는 ▲GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획 ▲17나노 신공정 개발 등을 소개하고 ▲공정기술 ▲라인운영 ▲파운드리 서비스를 한 차원 더 발전시켜 차운드리 시장에서의 경쟁력을 강화하겠다고 전했다.
이에 대해 최시영 사장은 “대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고 GAA 등 첨단 미세공정 뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것”이라고 말했다.
이어 “코로나19로 인해 급격한 디지털 전환이 이뤄지고 있는 가운데 고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나갈 것”이라고 덧붙였다.
GAA 기술은 전력효율과 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는 데 필수적이다.
삼성전자는 오는 2022년 상반기 GAA 기술을 3나노에 도입하고 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산 계획을 밝히며 차세대 트랜지스터 기술 선점에 대한 자신감을 나타냈다.
특히 삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET™ 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소될 것으로 예상된다.
아울러 3나노 공정의 경우 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산을 위한 준비가 이뤄지고 있다고 밝혔다.
삼성은 17나노 핀펫 신공정을 개발하고 응용처 확대 계획도 소개했다.
삼성전자는 비용적인 측면에서의 효율성과 응용 분야별 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하기 위해 핀펫 기술을 지속적으로 개선하고 있으며, 이번 포럼을 통해 핀펫 기반 17나노 신공정을 발표했다.
17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되며 면적은 43%가 감소될 것으로 기대된다고 전했다.
특히, 평면 트랜지스터 기반의 28나노 이상 공정을 주로 활용하는 이미지센서, 모바일 디스플레이 드라이버 IC 등의 제품에도 17나노 신공정을 적용할 수 있어 다양한 응용처로의 확대 가능성도 선보였다.
또한, 삼성전자는 기존 14나노 공정을 3.3V 고전압, eMRAM 지원 등 MCU에 적용할 수 있는 다양한 옵션을 개발해 IoT, 웨어러블 기기 등 핀펫 공정의 응용처 다변화를 지원하며, 8나노 RF 플랫폼의 경우 5G 반도체 시장에서 6GHz 이하 mmWave 제품에서의 리더십을 확보한다는 계획이라고 설명했다.
[사진제공=삼성전자]
더퍼블릭 / 신한나 기자 hannaunce@thepublic.kr
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