[더퍼블릭 = 최태우 기자] 조 바이든 미국 대통령 방한을 계기로 한미 기술동맹의 상징이 된 삼성전자가 세계 최초 3나노미터(nm·10억분의 1m) 반도체 웨이퍼를 바탕으로 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 공략에 박차를 가한다.
23일 업계에 따르면, 삼성전자는 이번 바이든 대통령의 방한을 계기로 ‘시스템 반도체 2030 비전’에 속도를 낸다는 계획이다.
앞서 바이든 대통령은 방한 첫날인 지난 20일 삼성전자의 평택 반도체 공장을 찾아 세계 최초로 양산할 예정인 3나노 반도체 웨이퍼에 서명했다. 이는 한미 ‘반도체 동맹’을 보여주는 상징적인 장면이자 삼성전자에 대한 미국 정부의 강한 신뢰를 보여주는 것으로 풀이된다.
삼성전자는 이를 바탕으로 미국 투자를 더욱 가속화하고 미국 기업들과의 협력 강화를 통해 파운드리 시장 점유율을 끌어올릴 방침이다.
삼성전자는 반도체 파운드리 시장 점유율에선 업계 1위 대만 TSMC보다 다소 뒤쳐지지만, 3나노 이하 초미세 공정에서 확보한 기술을 바탕으로 TSMC를 바짝 추격하고 있다.
특히 삼성전자는 이번 한미 정상에 세계 최초로 양산 예정인 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 시제품을 선보였고, 두 정상은 방명록 대신 이 반도체 웨이퍼에 서명했다.
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로, 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다.
다만 초미세공정을 양산하는 만큼 수율 문제를 해결해야 할 것으로 보인다. 앞서 TSMC도 연초 3나노 반도체 양산을 목표로 잡았지만, 수율 문제로 인해 일정을 다소 연기한 것으로 알려졌다.
이와 관련해 반도체 업계 한 관계자는 “삼성전자가 3나노 공정에서 일정 수준 이상의 수율을 확보할 경우 TSMC와의 격차를 크게 줄여나갈 수 있을 것”이라고 말했다.
한편 삼성전자는 내달 미국 텍사스주 테일러시에서 대대적으로 파운드리 공장 착공식을 열 것으로 전해졌다. 이는 지난해 11월 170억달러(약 20조원)를 투자해 신규 파운드리 공장을 짓겠다고 발표한 데 따른 것이다.
특히 바이든 대통령 방한을 계기로 고조된 한미간 반도체 협력 분위기가 착공식에서도 이어질 수 있도록 대규모 행사를 준비하고 있는 것으로 전해졌다.
착공식에는 텍사스주 정관계 인사들이 대거 참석할 것으로 보이며, 바이든 대통령의 참석 가능성도 점쳐지는 분위기다. 오는 11월 중간선거를 앞둔 바이든 대통령으로서는 더 많은 기업의 미국 투자를 이끌어내야 하는 상황인 만큼 이번 행사를 ‘투자유치 성과’로 알릴 수 있기 때문이다.
[사진제공=연합뉴스]
더퍼블릭 / 최태우 기자 therapy4869@thepublic.kr
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