SK하이닉스, EUV 적용 4세대 D램 양산…생산성 향상에 원가경쟁력↑ 기대

SK하이닉스, EUV 적용 4세대 D램 양산…생산성 향상에 원가경쟁력↑ 기대

  • 기자명 김수호
  • 입력 2021.07.14 14:05
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[더퍼블릭=김수호 기자] SK하이닉스가 처음으로 극자외선(EUV) 미세공정이 적용된 10㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)급 4세대(1a) 모바일 D램 양산을 시작하면서 최첨단 기술 선도 기업으로서의 위상 강화에 나선다.

12일 SK하이닉스에 따르면 이달 초 양산을 시작한 10㎚급 4세대 미세공정을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4 모바일 D램을 올 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급한다.

반도체 업체는 10㎚대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있는데, 1세대 1x·2세대 1y·3세대 1z에 이어 이번 4세대 기술은 1a로 불린다.

이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 나타내면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 감소했다.

특히 SK하이닉스 제품 가운데 최초로 기존 공정보다 더 미세하게 반도체 웨이퍼 위에 회로를 새길 수 있는 EUV 노광 장비가 사용됐다.

이를 통해 생산성도 높아졌는데 1a D램은 이전 세대 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다.

SK하이닉스는 1a D램의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있는 것으로 알려졌다.

아울러 올해 전 세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 1a D램이 글로벌 메모리 반도체 수급에 기여할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 이번 제품에 이어 내년 초, 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램 DDR5에 1a 기술을 적용한다는 방침이다.

SK하이닉스 관계자는 1a D램에 대해 “생산성과 원가경쟁력이 개선돼 수익성이 높을 것으로 기대된다”고 말했다.

[사진 제공=연합뉴스]

더퍼블릭 / 김수호 기자 shhaha0116@daum.net 

더퍼블릭 / 김수호 shhaha0116@daum.net

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