‘글로벌 메모리 시장 1위’ 탈환한 삼성전자에 SK하이닉스 다시 ‘도전장’…차세대 낸드 스토리지 제품 전략 ‘공개’

[더퍼블릭=김미희 기자]올해 3분기 삼성전자가 SK하이닉스를 제치고 ‘글로벌 메모리 시장 1위’ 자리를 탈환한 것을 두고 SK하이닉스가 ‘재도전장’을 내밀었다.

앞서 글로벌 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 3분기 D램과 낸드 플래시를 포함한 전체 메모리 시장에서 194억달러(약 27조6700억원)의 매출을 기록하고, SK하이닉스는 175억달러(약 24조9600억원)을 달성했다.

카운터포인트리서치는 “삼성전자는 범용 D램, 낸드 수요 강세로 1위를 회복했으며, 올해 부진했던 HBM 또한 내년부터 HBM3E(5세대)·HBM4(6세대)에 힘입어 본격적인 성장이 예상된다”고 분석했다.

앞서 삼성전자는 올해 1분기 압도적인 HBM 시장 점유율 가진 SK하이닉스에 33년 만에 처음으로 ‘글로벌 D램 1위’ 자리를 빼앗겼으며 이 추세는 2분기까지 이어졌다. 이와 함께 2분기에는 낸드까지 포함한 전체 메모리 시장에서도 SK하이닉스가 사상 첫 매출 1위를 차지했다.

이러한 가운데 삼성전자가 3분기 다시 글로벌 메모리 시장 1위를 차지한 것이다.

이에 SK하이닉스 또한 다시 도전장을 내밀었다. 지난 27일 SK하이닉스는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 ‘2025 OCP(Open Compute Project) 글로벌 서밋’에서 차세대 낸드 스토리지 제품 전략을 발표했다.

OCP 글로벌 서밋은 전 세계 최대 규모의 개방형 데이터센터 기술 협력 협회인 OCP가 주최하는 글로벌 행사로, 미래 데이터센터 환경 구현을 위한 반도체 최신 기술과 성과를 공유하는 자리다.

SK하이닉스는 김천성 부사장(eSSD Product Development 담당)이 발표자로 나서 AIN(에이아이엔, AI-NAND) 패밀리를 소개했다.

AIN 패밀리는 성능, 대역폭, 용량 세 가지 측면에서 각각 최적화된 낸드 설루션 제품들로, 데이터 처리 속도 향상과 저장 용량 극대화를 구현한 제품군이다.

이 중 AIN P(Performance·성능)는 대규모 AI 추론 환경에서 발생하는 방대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리하는 설루션으로, AI 연산과 스토리지 간 병목 현상을 최소화해 처리 속도와 에너지 효율을 대폭 높여준다.

SK하이닉스는 낸드와 컨트롤러를 새로운 구조로 설계해 내년 말 샘플을 출시할 계획이다.

AIN D(Density·용량)는 저전력, 저비용으로 대용량 데이터를 저장하는데 초점을 맞춘 고용량 설루션으로 AI 데이터 보관에 적합하다.

최대 PB(페타바이트)급 용량에 SSD의 속도와 HDD의 경제성을 동시에 구현한 중간 계층 스토리지를 목표로 하고 있다.

AIN B(Bandwidth·대역폭)는 낸드를 적층해 대역폭을 확대한 설루션으로, D램을 적층한 고대역폭 메모리(HBM)처럼 낸드플래시를 적층한 HBF 기술을 적용했다.

지난 8월 AIN B 생태계 확대를 위해 미국 샌디스크와 HBF 표준화 업무협약(MOU)을 맺었고, 이번 행사 기간에는 ‘HBF 나이트’를 열고 업계 협력을 제안했다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO·Chief Development Officer)은 "이번 OCP 글로벌 서밋과 HBF 나이트를 통해 '글로벌 AI 메모리 설루션 프로바이더'로 성장한 SK하이닉스의 현재와 미래를 선보일 수 있었다"며 "차세대 낸드 스토리지에서도 고객과 다양한 파트너와 협력해 AI 메모리 시장의 핵심 플레이어로 올라설 수 있도록 할 것"이라고 말했다.