"피해액만 5兆" 삼성 前 임원·연구원, 中 반도체 기술 유출 혐의 기소

[더퍼블릭=양원모 기자] 삼성전자 출신 임원·연구원들이 회사의 핵심 기술을 불법 유출해 중국 반도체 기업에 넘긴 혐의로 재판에 넘겨졌다.

이들이 빼돌린 기술은 삼성전자가 1조 6000억원을 투자해 세계 최초로 확보한 18나노 D램 공정으로, 검찰은 이번 사건이 사상 최대 규모의 기술 유출로 이어질 가능성이 크다고 보고 있다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 지난 1일 전 삼성전자 임원 양모씨와 연구원 권모씨, 신모씨 등 3명을 구속 기소했다고 밝혔다. 이들은 중국 청신메모리반도체(CXMT)의 핵심 개발 인력으로 활동하며 삼성의 핵심 공정을 무단으로 활용한 혐의를 받는다.

CXMT는 2016년 안후이성에서 2조 6000억원 규모로 설립된 중국 최초의 D램 기업이다. 검찰에 따르면 설립 직후 이 회사는 삼성전자 출신을 다수 영입해 이른바 '1기 개발팀'을 구성했고, 이 과정에서 전 삼성전자 부장 박모씨가 공정 관련 자료를 직접 필사해 전달한 사실이 확인됐다. 현재 박씨는 인터폴 적색 수배 상태다.

이후 양씨 등이 합류한 '2기 개발팀'은 유출된 자료를 바탕으로 삼성전자 실제 제품을 분석·분해해 검증을 거쳤다. 그 결과, 제조 공정 실험과 적용 과정을 통해 중국 내 18나노 D램 개발이 가능해졌다는 것이 수사 당국의 판단이다. 실제 CXMT는 지난해 중국 최초이자 세계 네 번째로 18나노 D램 양산에 성공했다.

범행 동기는 고액 연봉이었다. 양씨 등은 기술 유출 대가로 삼성전자 시절의 3~5배에 달하는 연봉, 즉 15억~30억원을 4~6년간 약속받은 것으로 파악됐다. 

삼성전자의기술 유출 사건은 처음이 아니다. 앞서 삼성전자 부장 출신 김모씨는 10나노대 D램 최신 공정 기술을 빼돌려 CXMT에 전달하고, 수십억원대 대가를 수수한 혐의로 2심에서 징역 6년과 벌금 2억원을 선고받은 바 있다. 검찰은 김씨가 넘긴 자료가 이번 사건에서도 활용됐다고 보고 있다.

검찰은 기술 유출에 따른 삼성전자 매출 손실이 지난해에만 약 5조원에 달한다고 추정하고 있다. 검찰 관계자는 "기술 유출은 피해 기업을 넘어 국가 경제 전반을 위협하는 중대한 범죄"라며 "앞으로 유사 사건에 대해 강력히 대응하겠다"고 밝혔다.