[더퍼블릭 = 최태우 기자] 글로벌 반도체 파운드리(위탁생산) 업계 1위인 대만 TSMC가 올해 사상 최대 규모의 투자 계획을 내놓으면서 선두 자리 굳히기에 나선다. 2나노(nm)·3나노 등 초미세 공정 개발을 위해 사력을 다하는 모양새다.
18일 반도체 업계와 외신 등에 따르면, TSMC는 올해 400억~440억 달러(약 47조5000억~52조3000억원) 규모의 설비 투자 계획을 발표했다.
이는 지난해 TSMC의 투자 규모인 300억 달러보다 100억 달러 이상 증가한 역대 최대 투자 금액이다.
TSMC의 이 같은 공격적인 투자 행보는 삼성전자의 추격을 따돌리고 파운드리 분야에서 선두 자리를 굳히기 위한 것으로 풀이된다.
TSMC는 파운드리 시장 전체에서 53.1%의 점유율로 삼성전자(17.1%)를 크게 웃돌며 과반 이상을 차지하고 있지만, 7나노 이하 초미세 공정에서는 TSMC와 삼성전자의 점유율이 6대4 정도로 크지 않다.
결국 초미세 공정 라인에 대한 대규모 투자를 통해 애플과 퀄컴·AMD·엔비디아 같은 대형 고객사들을 고정 고객 등으로 확보하겠다는 전략이다.
앞서 대만 연합보는 지난 5일 TSMC가 올해 4분기 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반의 2nm 공정이 적용된 반도체 시험 생산팀을 발족하기로 결정했다고 전했다.
GAA는 삼성전자가 전 세계 반도체 업계에서 최초로 양산에 도전하는 차세대 반도체 기술이다. 반도체의 구성을 이루는 트랜지스터는 전류가 흐르는 챈러과 채널을 제어하는 게이트로 구분되는데, GAA는 채널 4면을 게이트가 둘러싸고 있다.
이에 반도체 전류 흐름을 기존의 핀펫(FinFET) 기술보다 세밀하게 제어하는 등 채널 조정 능력을 극대화 시킬 수 있다는 장점이 있다.
삼성전자는 올해 상반기 도입하는 3nm 파운드리 공정부터 GAA 기술을 적용하기로 했으며, TSMC는 2nm 공정부터 도입하기로 했다.
하지만 최근 업계 2위인 삼성전자가 경쟁적으로 도입을 서두르자, TSMC 역시 경쟁에서 뒤쳐지지 않기 위해 2nm 공정을 서둘러 도입하는 것으로 보인다.
이와 관련해 연합보는 최근 보도를 통해 웨이저자 TSMC 총재가 루슈옌 타이중 시장을 만나는 등 TSMC가 이미 공장 부지 확보를 위해 관계 당국과 접촉 중이라고 보도했다.
그러면서 “삼성전자가 적극적으로 GAA기술 분야에서 돌파를 시도하고 있는 상황이 TSMC로 하여금 2nm 추진을 서두르게 만들고 있다”며 “강한 적수에 대한 경계를 높일 수밖에 없는 상황”이라고 분석했다.
현재 양사는 모두 5nm 공정이 적용된 시스템 반도체 제품을 양산 중인 가운데, 향후 3nm 이하의 최첨단 미세 공정 반도체 시장을 두고 양사는 막대한 자금을 투자하는 등 치열한 연구 개발 경쟁을 벌이고 있다.
대만 현지 언론들의 보도에 따르면, TSMC 또한 올해 2월부터 3nm 공정 생산라인을 가동해 7월부터는 인텔이 주문한 CPU와 GPU를 양산할 계획이다.
아울러 삼성전자 역시 오는 2025년부터 2nm 공정 반도체 양산에 들어가겠다는 계획을 발표하면서 이들의 반도체 파운드리 초미세 공정 경쟁은 장기화될 전망이다.
[사진제공=연합뉴스]
더퍼블릭 / 최태우 기자 therapy4869@thepublic.kr
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